الابتكار في عالم التكنولوجيا لا يتوقف، ولعل آخر هذه الاكتشافات رقاقة جديدة من إنتاج شركتي «أي بي إم» و«سامسونج»، يمكنها الحفاظ على شحن بطاريات الهواتف الذكية لمدة أسبوع كامل، ما يمثل ميزة مدهشة للملايين من مستخدمي الهواتف الذكية حول العالم، الذين يعانون من قصر عمر بطاريات هواتفهم.
وتتميز الرقاقة بتصميم ترانزستورات تأثير مجال النقل العمودي الجديد VTFET، الذي يضع ترانزستورات عمودية على سطح الشريحة، ما يسمح بتدفق تيار عمودي، والتصميم الرأسي هو المفتاح لتحويل صناعة أشباه الموصلات، ويمكن أن يقلل من استخدام الطاقة بنسبة 85%، بحسب صحيفة «ديلي ميل» البريطانية.
الرقائق الجديدة تعزز عمل قانون «مور»
وتمثل الرقاقة الجديدة تعزيزا لقانون «مور»، وهو فرضية أن عدد أجهزة الإرسال في الرقاقة يتضاعف كل عامين، وبالتالي تحسين السرعة والقدرة، ويحدث هذا نتيجة للتحسينات التكنولوجية المختلفة، مثل الزيادة في عدد الترانزستورات التي يمكن وضعها داخل رقاقة ميكروية.
على الرغم من أن الخبراء حذروا من أن الرقائق الحالية معرضة لخطر نفاد المساحة لاستيعاب أحدث التقنيات، وهذا ما يجعل عمر شحن البطاريات قصير، فإنه بفضل تصميم VTFET من شركة «أي بي إم» يمكن تعبئة المزيد من الترانزستورات لكل مليمتر مربع في الشريحة الجديدة، وهذا من شأنه إطاله عمر شحن البطاريات.
آلية عمل الشرائح الجديدة من «أي بي إم» و«سامسونج»
ونظرًا لأن الرقائق التقليدية تبني الترانزستورات لوضعها بشكل مسطح على سطح أشباه الموصلات، فإنها تحد من عدد الترانزستورات التي يمكن تعبئتها في المنطقة، وهذا ما يسمى الترانزستورات ذات التأثير الميداني، وهو التصميم الشائع في رقائق اليوم، ولكن اكتشفت Samsung أن هناك مساحة أكبر عند استخدام التصميم العمودي، وهذا يمسح بإطالة عمر شحن البطاريات.
ومع اكتشاف سامسونج، توصلت شركة IBM إلى اختراق تقني يمثل رقاقة 2 نانومتر، ويسمح بتركيب ما يصل إلى 50 مليار ترانزستور في مساحة بحجم ظفر الإصبع، ووفقًا للشركة: «يركز ابتكار VTFET على بُعد جديد تمامًا يوفر مسارًا لاستمرار قانون مور».